| 型号：RFD12N06RLE | 类别：FET - 单 | 制造商：Fairchild Semiconductor |
| 封装：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | 描述：MOSFET N-CH 60V 18A IPAK | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK |
| 系列 | UltraFET™ |
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 18A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 63 毫欧 @ 18A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 3V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 15nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 485pF @ 25V |
| 功率_最大 | 49W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装 | I-Pak |
| 包装 | 管件 |
供应商
| 深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
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